急急急!单管igbt驱动IC型号推荐?igbt型号参数的含义?

2024-03-16 07:33:51 文章来源 :网络 围观 : 评论

  急急急!单管igbt驱动IC型号推荐?

  M57959L, 驱动150A,1200V以内的IGBT都可以. M57962L, 驱动300A,1200V以内的IGBT都可以 . 1ED020I12-F2,也可驱动100A 1200的IGBT

  igbt型号参数的含义?

  1.集电极—发射极间电压(VCES)-在门极-发射极之间处于短路状态时,集电极-发射极间的最大电压。

  2.门极—发射极间电压(VGES)-在集电极-发射极间处于短路状态时,门极-发射极间能够施加的最大电压(通常正负20Vmax)

  3.集电极电流(IC)-集电极的电极上容许的最大直流电流。

  4.最大集电极电流(ICRM)-集电极的电极上容许的最大脉冲电流

  5.正向导通电流(IF) ——集成二极管上容许的最大直流正向电流

  6.最大正向导通电流(IFRM)——集成二极管上容许的最大脉冲正向电流

  7.短路电流(ISC)——IGBT 短路时的电流

  8.最大损耗(PTOT)——每个IGBT容许的最大功耗损耗

  9.结温(TJ)——使元件能够连续性工作的最大芯片温度

  10.正向峰值浪涌电流(IFSM)——在不破坏元件范围内所允许的一周期以上商用正弦半波(50、60HZ)的电流最大值

  11.集电极-发射极断路电流(ICES)——门极(下称G)-发射极(下称E)间处于短路状态时,在集电极(下称C)-E间外加指定的电压时C—E间的漏电流

  12.门极-发射极间的漏电流(IGES)——C-E间处于短路状态时,在G-E间外加指定的电压时G-E间的漏电流

  13.集电极-发射极间的饱和电压(VGE(th))——处于指定的C-E间的电流(下称集电极电流)和C-E间的电压(下称VCE)之间的G-E间的电压(下称VGE)(G-E间有微小电流开始通过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导通时的VGE值尺度)

  14.集电极—发射极间的饱和电压(VCE(sat))——在指定的VGE下,额定集电极电流流过时的VCE值(通常,VGE=15V,计算损耗时重要值)

  15输入电容(Cies)——C-E间交流性短路状态下,G-E间和C-E间外加指定电压时G-E间的电容。

  16.输出电容(Coes)——G-E间交流性短路状态下,G-E间和C-E 间外加指定电压时C-E间的电容

  17.反向传输电容(Cres)——在E接地的情况下,G-E间和C-E间外加指定电压时C-E间的电容

  18.二极管正向电压(VF)——在内置二极管中流过指定的正方向电流(通常为额定电流)时的正方向电压(与VCE(sat))相同,也算是计算损耗是的重要值.

  19.开通时间(tdon):VGE上升到0后,VCE下降到最大

  

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