cvd工艺基础知识?简述cvd的主要工艺步骤?
2024-03-29 02:10:53 文章来源 :网络 围观 : 次 评论
cvd工艺基础知识?
CVD(化学气相沉积)工艺是一种在高温下利用气相反应沉积材料的方法。它涉及将气体或气体混合物引入反应室中,通过控制温度和压力,使气体分子在表面上发生化学反应并沉积成薄膜。
CVD工艺广泛应用于半导体、光电子、涂层等领域,可制备具有优异电、磁、光、机械性能的材料。CVD工艺基础知识包括反应机理、反应气体选择、温度和压力控制、沉积速率等,对于实现高质量薄膜的制备至关重要。
在超大规模集成电路(ULSI)技术中,有很多沉积薄膜的方法,一般而言这些方法可以分类为两个不同的反应机构:化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD) 和物理气相沉积(Physical vapor deposition,PVD),在此我们仅对化学气相沉积进行介绍。
化学气相沉积法(CVD)
化学气相沉积法定义为化学气相反应物,经由化学反应,在基板表面形成一非挥发性的固态薄膜。这是最常在半导体制程中使用的技术。
简述cvd的主要工艺步骤?
CVD的工艺有着与氧化或扩散等相同的步骤。回顾一下,这些步骤包括预清洗(T艺要求的刻蚀)、G548A2P1UF淀积和评估。我们已经描述过清洗工艺,即用于去除微粒和可动的离子污染。化学气相淀积,如氧化是以循环的方式进行的。
首先,将晶圆装载到反应室内,装载过程通常是在惰性气体环境下进行的。
然后,晶圆被加热到预定温度,将反应气体引入淀积薄膜的反应室内进行反应。
最后,将参与反应的化学气体·排出反应室,移出晶圆。薄膜的评估包括厚度、台阶覆盖、纯度、清洁度和化学成分。
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