mosfet制备中调整阈值电压的常用方法有哪些?
2023-12-11 12:19:06 文章来源 :网络 围观 : 次 评论
例如,对于耗尽型n-MOSFET,在栅电压为0时即存在电子导电的沟道,就是线性导通状态;只有加上一定的栅极电压(负电压)后才能使沟道消失(整个沟道夹断),这时的栅电压称为”夹断电压”Vp,也就是耗尽型FET的阈值电压,当“源漏电压Vds≥夹断电压Vp减去栅源电压Vgs”时,沟道即在靠近漏极处被夹断,晶体管就进入饱和导通状态,输出电流最大、并饱和,同时跨导也最高——放大工作区。 值得注意,FET在饱和状态时沟道的夹断与没有沟道是两回事。沟道在漏端被夹断后,并不是不能导电,因为夹断区实际上就是一个存在电场的耗尽区,只要载流子(多数载流子)一到达耗尽区边缘,就立即被电场扫到集电极而输出电流。
所以,沟道在一端被夹断后的导电性能将更好(导电性决定于未被夹断的部分沟道),这与完全没有沟道的截止状态完全不同。
对于JFET,其线性导通和饱和导通的情况与MOSFET的相同。
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