为什么会阈值电压漂移？pbti效应？
为什么会阈值电压漂移？
引起阈值电压漂移的原因主要是界面态电荷的积累。
半导体晶格中存在的与其基体不同的其他化学元素原子。杂质的存在使严格按周期性排列的原氧施主的存在使硅片电阻率变化，器件的阈值电压漂移。当正常器件使用时，由于半导体-氧化界面处缺陷的产生或充放电，阈值电压会产生漂移现象。
pbti效应？
指的是在一定温度条件下，在晶体管栅极施加偏置电压时，晶体管的电学特性发生阈值电压飘移、饱和电流及跨导减小等退化的效应。
随着栅极长度不断缩小和氧化层厚度的不断减薄，半导体器件的偏压温度不稳定性的影响越发显著，已成为器件退化的主要因素之一。因此，对器件偏压温度不稳定性的准确评估和表征具有重要意义。一一这叫pbti效应
NBTI效应是指在高温下对PMOSFET施加负栅压而引起的一系列电学参数的退化（一般应力条件为125℃恒温下栅氧电场 ，源、漏极和衬底接地）。
NBTI效应是指在高温下对PMOSFET施加负栅压而引起的一系列电学参数的退化（一般应力条件为125℃恒温下栅氧电场 ，源、漏极和衬底接地）。
NBTI效应的产生过程主要涉及正电荷的产生和钝化，即界面陷阱电荷 和氧化层固定正电荷 的产生以及扩散物质的扩散过程，氢气和水汽是引起NBTI的两种主要物质。传统的R-D模型将NBTI产生的原因归结于pMOS管在高温负栅压下反型层的空穴受到热激发，隧穿到硅/二氧化硅界面，由于在 界面存在大量的Si-H键，热激发的空穴与Si-H键作用生成H原子，从而在 界面留下悬挂键，而由于H原子的不稳定性，两个H原子就会结合，以氢气分子的形式释放，远离 界面向 /栅界面扩散，从而引起阈值电压的负向漂移。
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