4n60场效应管驱动电压？cm4n65场效应管参数？
4n60场效应管驱动电压？
场效应管是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。
cm4n65场效应管参数？
CM4N65是一款N沟道MOSFET，其主要参数如下：
- 漏极电压(VDS)：65V
- 漏极电流(ID)：10A
- 栅极电压(Vgs)：-40V至100V
- 栅极电流(Id)：100A至1000A
- 最大耐压(VDSMAX)：200V
- 最大工作温度：150℃
- 封装类型：SOT-23
需要注意的是，CM4N65是一款高电流MOSFET，其栅极电流和漏极电流均为较大值，因此在使用过程中需要特别注意散热和电路设计。
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